外延層的導電類型和電阻率取決于摻雜。在外延過程中，摻雜劑將同時或者間歇性地進入外延層中。在硅外延時，硼烷（B2H6）通常用做p型摻雜劑，而磷烷（PH3）或者砷烷（AsH3）用做n型摻雜劑。它們的可燃性和毒性。這些氣體都是劇毒并且在室溫以上不穩定，因此通常需要用大量的氫氣稀釋。因此，這些氫化物摻雜氣體從氣相進入外延層中不會遵循某一簡單的規律。為了使外延層中的摻雜濃度與氣相狀態時的濃度相對應，只能針對具體的生長條件和外延爐來確定工藝參數。影響摻雜劑摻雜的主要因素包括生長溫度、生長速度、氣相中的摻雜劑濃度以及外延爐的幾何形狀。

另外，由于摻雜氣體和硅源氣體之間的交互或者競爭作用，使得摻雜過程變得相當復雜。研究發現B2H6和PH3對硅沉積速度有相反的作用，即前者提高沉積速度，而后者抑制沉積速度。研究還發現，在高溫下PH3能化學吸附在硅片上，并分解參與形成Si—H鍵；氫在高于400℃時脫附，從而形成含磷層，它們在550℃時吸附最顯著。一旦被吸附，PH3將穩定在SiH4氣流下，從而有效地鈍化了硅表面，抑制了摻磷外延層的生長速度。另一方面，B2H6具有非常小的粘附系數，很容易在硅表面直接分解而形成硼。吸附的B2H6有利于硅源氣體在硅片表面的異質反應，從而提高生長速度。另外，摻雜劑進入硅外延層的數量還受生長速度的影響。圖2.2-32顯示了在砷摻雜中，雜質濃度和硅生長速度的典型關系曲線。在高生長速度時，砷的摻雜由表面動力學（如表面吸附和擴散）決定；而在低生長速度時，摻雜過程則由質量輸運控制。

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